钰创发表USB 3.0快闪记忆碟控制芯片

钰创科技看好第三代通用序列汇流排(USB 3.0)随身碟控制积体电路(IC)产品的市场爆发力，将于台北国际电脑展(Computex Taipei 2013)展会上，发表该公司再度缔造全球最快速度之USB3.0快闪记忆碟控制晶片--EV26699，该元件读取/写入速率可达每秒320/280MB。
钰创科技将于国际USB-IF协会之SuperSpeed USB Community专区上，展示该公司横跨USB 3.0主端到装置端全系列晶片，邀请各系统厂商、业界专家及消费大众参观及使用该公司诸多通过国际USB-IF认证的USB 3.0晶片，6月4～8日台北国际电脑展期间，意者可前往台北南港展览馆四楼国际USB-IF之SuperSpeed USB Community专区参观。

钰创科技最新USB3.0快闪记忆碟控制晶片--EV26699采独特的双通道快闪记忆体介面，具备先进之72位元错误校正能力(ECC)，可支援多家快闪记忆体大厂于2x奈米及1x奈米先进制程之NAND Flashe产品。EV26699在搭配SLC快闪记忆体使用时，读取/写入速率最高可达每秒320/280 Mega Bytes；而搭配MLC快闪记忆体使用时，读取/写入速率亦可达每秒300/280 Mega Bytes。EV26699在硬体规格上可支援16CE或8CE两个版本，可采88-pin或64-pin QFN封装。

钰创科技提供完整之双通道USB3.0快闪记忆碟控制晶片系列，包括最佳性价比EV266系列、高速度EV2669 Accelerator系列、全球超高速之EV26699系列等。钰创EV266产品具备最佳性价比优势深获广大客户青睐，而加速器EV2669则已获得多家国际客户的支持与采用。甫加入产品阵容之EV26699挟全球最高速度之产品效能，相信在市场推出后，很快就能获得广大的回响。