联电携手Kilopass扩展28奈米矽智财合作

联电(2303-TW)(UMC-US)与Kilopass今(28)日共同宣布，双方已签署技术开发协议供。此次的新协议案，将双方夥伴关系扩展到28奈米先进制程平台。

Kilopass非挥发性记忆体矽智财将于联电两个28奈米先进制程平台上提供，分别为：适用于生产可携式装置产品系统单晶片的高介电质金属闸28HPM；以及受消费性电子产品系统单晶片设计公司青睐的多晶矽28HLP制程。


联电客户工程暨矽智财研发设计支援副总简山杰表示，该公司不断致力于先进技术开发和及时的产能导入，以充分满足客户的需求。为了确保客户在28奈米制程上，不仅可以采用联电eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智财，也能获取最佳第三方厂商之挥发性记忆体矽智财，联电十分乐意与Kilopass公司持续合作，以确保其多元化的反熔丝非挥发性记忆体矽智财产品，能够在28奈米制程平台上提供给客户采用。

Kilopass公司董事长暨执行长Charlie Cheng表示，Kilopass与联电进行中的策略合作，为两家公司创造了双赢。对于联电来说，将可在其先进制程平台上，为客户提供更广泛的矽智财产品组合，对于Kilopass而言，则可将业务范围拓展到联电28奈米制程市占率日益提升的行动设备与消费性电子系统单晶片产品市场。

Kilopass与联电的合作关系开始于2010年的40LP制程，现已完成推出。随着客户对其他制程需求的增加，两家公司决定进一步于130/110/55nm制程平台上提供反熔丝嵌入式非挥发性记忆体(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新协议案，则将双方夥伴关系扩展到28奈米制程平台。