住友电工首次展示SiC MOSFET和全SiC模块

住友电气工业公司在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术展会“PCIM 2013”上，公开了该公司正在开发的SiC MOSFET以及采用SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（SBD）的“全SiC”功率模块。解说员表示，“去年（2012年）在学会上发布了SiC MOSFET，但此次是首次在展会上展示实物”。

       此次展示的功率模块为耐压1200V，输出电流100A的产品，室温下的电阻值为12mΩ，支持工作频率为50KHz的开关。目前还在开发耐压同为1200V、减少了功率模块电感成分的产品。

       今后，住友电工计划开发耐压为1700V、2200V和3300V的高耐压产品。展区中公布了1700V耐压全SiC模块的部分性能参数，输出电流为400A，电阻值为7mΩ，支持50kHz的开关。

       另外，住友电工并未透露SiC功率产品的业务化事宜，而且现场展品禁止拍照。（记者：根津 祯，《日经电子》）