AOS推出导通电阻仅16.5mΩ的150V功率MOSFET

Alpha and Omega Semiconductor（AOS）公司2013年4月25日发布了栅源电压为10V时，导通电阻仅为16.5mΩ（最大值）的50V耐压功率MOSFET“AON6250”。这款产品为n通道产品，采用封装面积为5mm×6mm的8端子DFN（DFN5×6）封装。该公司表示，“在采用DFN5×6封装的150V耐压产品中，AON6250的导通电阻为业界最低”。新产品主要面向通信设备、消费类产品和工业设备上配备的升压型DC-DC转换器和同步整流器等。

       新产品的最大连续漏电流为52A，最大脉冲漏电流为112A；栅源电压为6V时，导通电阻为33.5mΩ（最大值）；总栅极电荷为43nC（标称值）。据介绍，新产品的优值（FOM，导通电阻与总栅极容量的乘积）在业界也是最出色的。输入容量为2388pF（标称值），输出容量为213pF（标称值）。栅极电阻为0.95Ω（标称值）。体二极管的反向恢复时间为68ns（标称值），反向恢复容量为560nC（标称值）。工作接合部温度范围为-55～+150℃。新产品已开始量产，1万个批量购买时的美国参考单价为1.18美元。（特约撰稿人：山下 胜己）