凌力尔特MOSFET驱动器可操作于150V电源电压

亚德诺(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出高速、高压侧N信道MOSFET驱动器--LTC7000/-1，该组件可操作于高达150V的电源电压。 其内部充电泵全面强化外部N信道MOSFET开关，因而使之能无限期地保持导通。 LTC7000/-1的强大1Ω闸极驱动器，能以非常短的转换时间驱动大闸极电容MOSFET，因此非常适合高频开关及静态开关应用。

该组件可在3.5V至135V(150VPK)输入电源范围和3.5V至15V偏置电压范围内操作。 透过监视与外部MOSFET之漏极串联的外部感测电阻两端之电压，可检测过电流情况，当LTC7000/-1检测到开关电流，超过某个默认水平时，会确定一个故障标记，并关断开关一段时间，而这段时间是由一个外部定时电容设定。

该组件专为接收一个参考对地的低电压数字输入讯号、以及快速驱动一个漏极电压高出地电位达150V的高压侧N信道功率MOSFET而设计。 13ns的快速上升和下降时间(当驱动一个1000pF负载)可将开关损耗降至最低。 LTC7000是全功能组件，并具有比LTC7000-1更多的特点，包括致能、过压锁住、可调电流限制和电流监视。

LTC7000采用MSOP-16 封装，而LTC7000-1则采用MSOP-16(12)封装，后者移除了4个接脚以提供高电压间隔。 组件提供三种操作接面温度等级，延展性版本和工业版本为–40°C至125°C，高温汽车版本为–40°C至150°C，而军用等级则为–55°C至150°C。